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Transistor IRFZ48N

Transistor IRFZ48N

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Especificaciones: 

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 210 A
    • Corriente de avalancha IAR: 32 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.014 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    SKU:B132

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