Transistor IRF840
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Especificaciones:
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID: 8 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A
- Corriente de avalancha IAR: 8 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
- Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.85 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número: 3
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