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Transistor IRF640

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$ 70.00 MXN
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Especificaciones: 

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
  • Corriente de avalancha IAR: 18 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.13 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

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