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Transistor IRF540

Transistor IRF540

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Especificaciones: 

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 72 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines
  • Peso: 2 g

SKU:B132

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