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Transistor D669 2SD669

Transistor D669 2SD669

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Especificaciones:

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 180 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 160 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente de colector  Ic: 1.5 A
  • Corriente de colector pico Icp: 3 A
  • Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 20 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-126
  • Número de pines: 3

SKU:

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