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Transistor BD139

Transistor BD139

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Especificaciones: 

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base: VCBO: 100 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 80 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Disipación de potencia  total Ptot: 1.25 W
  • Corriente de colector DC Ic: 1.5 A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 40 hFE
  • Temperatura de operación mínima: -65°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Número de pines: 3

SKU:

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