Transistor BD139
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Especificaciones:
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje colector base: VCBO: 100 V
- Voltaje colector emisor VCEO: 80 V
- Voltaje emisor base VEBO: 5 V
- Disipación de potencia total Ptot: 1.25 W
- Corriente de colector DC Ic: 1.5 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 40 hFE
- Temperatura de operación mínima: -65°C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Número de pines: 3
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