Transistor A1015 2SA1015
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Especificaciones:
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje colector base VCBO: -50 V
- Voltaje colector emisor VCEO: -50 V
- Voltaje emisor base VEBO: -5 V
- Corriente de colector dc: -150 mA
- DC actual Ganancia hFE: 200
-
Disipación de energía Pd: 400 mW
-
Transición Frecuencia Typ: 120 MHz
- Temperatura de operación mínima: -55°C
- Temperatura de operación máxima: 125°C
- Encapsulado TO-92
- 3 pines
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