Transistor A1015 2SA1015

Especificaciones: 

• Polaridad del transistor: PNP
• Voltaje colector base VCBO: -50 V
• Voltaje colector emisor VCEO: -50 V
• Voltaje emisor base VEBO: -5 V
• Corriente de colector dc: -150 mA
• DC actual Ganancia hFE: 200
• Disipación de energía Pd: 400 mW
  
• Transición Frecuencia Typ: 120 MHz
  
• Temperatura de operación mínima: -55°C
• Temperatura de operación máxima: 125°C
• Encapsulado TO-92
• 3 pines