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Transistor A1011

Transistor A1011

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Especificaciones: 

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO: 180 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 160 V
  • Voltaje emisor base VEBO; 6 V
  • Corriente continua del colector Ic : 1.5 A
  • Disipación de potencia  Pd (Tc=25°C): 25 W
  • Transición de frecuencia tf: 5 MHz
  • Ganancia de corriente DC hFE: 60 hFE
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

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