Transistor 50N06
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Especificaciones:
- Polaridad del transistor: Canal-N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V
- Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±10
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR:50 V
- Corriente continua de drenaje ID: 50 A
-
Corriente de drenaje pulsada IDP: 130 A
- Disipación de potencia máxima PD: 110 W
- Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.022 ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
SKU:
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